Módulo IGBT SKM40GD123D

Módulo IGBT SKM40GD123D. Módulo IGBT. C (pol.): 1600pF. Custo): 260pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Função: 3 CH. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 100A. Ic(T=100°C): 30A. Número de terminais: 17. Dimensões: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sim. Spec info: IFSM--350Ap (t=10ms). Peso: 170g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 400 ns. Td(ligado): 70 ns. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Produto original do fabricante Semikron. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 02:25.