MC33152DR2G

MC33152DR2G

Quantidade
Preço unitário
1-99
2.33€
100+
1.94€
Quantidade em estoque: 566

MC33152DR2G. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Família de componentes: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. Número de circuitos: 2. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +85°C.. Tipo de circuitos: Circuito de acionamento MOSFET/IGBT. [V]: +18V. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:48

Documentação técnica (PDF)
MC33152DR2G
10 parâmetros
Carcaça
SO8
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Família de componentes
Circuito de acionamento MOSFET/IGBT
Número de circuitos
2
Número de terminais
8:1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+85°C.
Tipo de circuitos
Circuito de acionamento MOSFET/IGBT
[V]
+18V
Produto original do fabricante
Onsemi