DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V

DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
15.40€
5-9
14.18€
10-14
13.26€
15-29
12.44€
30+
11.25€
Quantidade em estoque: 33

DSEP60-12AR, 60A, 500A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 1200V. Corrente direta (AV): 60A. IFSM: 500A. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: caixa isolada, sem perfuração. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Diodo recuperação suave. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 650uA. RM (máx.): 2.5mA. RoHS: sim. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão direta Vf (min): 1.74V. Tensão limite Vf (máx.): 2.66V. Unidade de condicionamento: 10. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:03

Documentação técnica (PDF)
DSEP60-12AR
25 parâmetros
Corrente direta (AV)
60A
IFSM
500A
Carcaça
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOPLUS247
VRRM
1200V
Condicionamento
tubo de plástico
Configuração
caixa isolada, sem perfuração
Diodo Trr (mín.)
40 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Função
Diodo recuperação suave
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
190W
Quantidade por caixa
1
RM (min)
650uA
RM (máx.)
2.5mA
RoHS
sim
Spec info
540Ap t=10ms, TVJ=45°C
Tecnologia
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão direta Vf (min)
1.74V
Tensão limite Vf (máx.)
2.66V
Unidade de condicionamento
10
Produto original do fabricante
IXYS