DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

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DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AD. Corrente direta [A]: 30A. Corrente direta (AV): 30A. IFSM: 200A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 250uA..1mA. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Função: Diodo recuperação suave. Ism [A]: 200A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 165W. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 250uA. RM (máx.): 1mA. RoHS: sim. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tensão direta Vf (min): 1.78V. Tensão limite Vf (máx.): 2.74V. Unidade de condicionamento: 30. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 40 ns. [V]: 2.74V @ 30A. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:03

Documentação técnica (PDF)
DSEP30-12A
35 parâmetros
Carcaça
TO-247
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-247AD
Corrente direta [A]
30A
Corrente direta (AV)
30A
IFSM
200A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Condicionamento
tubo de plástico
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
250uA..1mA
Diodo Trr (mín.)
40 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Família de componentes
Diodo retificador rápido (tr<500ns)
Função
Diodo recuperação suave
Ism [A]
200A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
165W
Quantidade por caixa
1
RM (min)
250uA
RM (máx.)
1mA
RoHS
sim
Spec info
200Ap t=10ms, TVJ=45°C
Tecnologia
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Temperatura máxima
+175°C.
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
1.2 kV
Tensão direta Vf (min)
1.78V
Tensão limite Vf (máx.)
2.74V
Unidade de condicionamento
30
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
40 ns
[V]
2.74V @ 30A
Produto original do fabricante
IXYS