DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

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1-4
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5-14
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DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): TO-247AD. Corrente direta [A]: 26A. Corrente direta (AV): 28A. IFSM: 200A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 0.75mA..7mA. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Função: ‘Recuperação Rápida’. Ism [A]: 210A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 138W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnologia: Diodo Epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tensão direta Vf (min): 2.2V. Tensão limite Vf (máx.): 2.55V. Unidade de condicionamento: 30. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 60 ns. [V]: 2.55V @ 30A. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 11:43

Documentação técnica (PDF)
DSEI30-12A
33 parâmetros
Carcaça
TO-247
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-247AD
Corrente direta [A]
26A
Corrente direta (AV)
28A
IFSM
200A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AD
VRRM
1200V
Condicionamento
tubo de plástico
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
0.75mA..7mA
Diodo Trr (mín.)
40 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Família de componentes
Diodo retificador rápido (tr<500ns)
Função
‘Recuperação Rápida’
Ism [A]
210A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
138W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
375Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnologia
Diodo Epitaxial
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-40...+150°C
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
1.2 kV
Tensão direta Vf (min)
2.2V
Tensão limite Vf (máx.)
2.55V
Unidade de condicionamento
30
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
60 ns
[V]
2.55V @ 30A
Produto original do fabricante
IXYS