DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V

DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V

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DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Corrente direta [A]: 2x123A. Corrente direta (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 1mA..20mA. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Família de componentes: Diodo retificador de silício. Função: diodo duplo de recuperação rápida. Ism [A]: 1200A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: parafuso. Número de terminais: 4. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 357W. Quantidade por caixa: 2. RM (min): 1mA. RM (máx.): 20mA. RoHS: sim. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnologia: Diodo Epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensão direta Vf (min): 0.89V. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Unidade de condicionamento: 10. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 50 ns. [V]: 1.1V @ 120A. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 11:43

Documentação técnica (PDF)
DSEI2X121-02A
34 parâmetros
Carcaça
ISOTOP ( SOT227B )
Corrente direta [A]
2x123A
Corrente direta (AV)
2x123A
IFSM
1200A
Habitação (conforme ficha técnica)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
200V
Condicionamento
tubo de plástico
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
1mA..20mA
Diodo Trr (mín.)
35 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Família de componentes
Diodo retificador de silício
Função
diodo duplo de recuperação rápida
Ism [A]
1200A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
parafuso
Número de terminais
4
Número de terminais
4
Pd (dissipação de energia, máx.)
357W
Quantidade por caixa
2
RM (min)
1mA
RM (máx.)
20mA
RoHS
sim
Spec info
1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnologia
Diodo Epitaxial
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-40...+150°C
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
200V
Tensão direta Vf (min)
0.89V
Tensão limite Vf (máx.)
1.1V
Unidade de condicionamento
10
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
50 ns
[V]
1.1V @ 120A
Produto original do fabricante
IXYS