DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V

DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.76€
5-9
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10-24
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25-49
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DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AC. Corrente direta [A]: 14A. Corrente direta (AV): 14A. IFSM: 100A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 50uA..3mA. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Família de componentes: Diodo retificador rápido (tr<500ns). Função: ‘Recuperação Rápida’. Ism [A]: 100A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: 100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tecnologia: Diodo Epitaxial. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 600V. Tensão direta Vf (min): 1.5V. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Unidade de condicionamento: 50. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 50 ns. [V]: 1.7V @ 16A. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 11:43

Documentação técnica (PDF)
DSEI12-06A
33 parâmetros
Carcaça
TO-220
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-220AC
Corrente direta [A]
14A
Corrente direta (AV)
14A
IFSM
100A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AC
VRRM
600V
Condicionamento
tubo de plástico
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
50uA..3mA
Diodo Trr (mín.)
35 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Família de componentes
Diodo retificador rápido (tr<500ns)
Função
‘Recuperação Rápida’
Ism [A]
100A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Pd (dissipação de energia, máx.)
62W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
100Ap t=10ms, TVJ=150°C
Tecnologia
Diodo Epitaxial
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-40...+150°C
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
600V
Tensão direta Vf (min)
1.5V
Tensão limite Vf (máx.)
1.7V
Unidade de condicionamento
50
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
50 ns
[V]
1.7V @ 16A
Produto original do fabricante
IXYS