BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Corrente de pulso máx.: 2A. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Estrutura dielétrica: ânodo comum. Função: Ultra High Speed Switching. Marcação na caixa: A1s. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD A1s. Número de terminais: 3. Potência: 350mW. Propriedades do semicondutor: comutação super rápida. Quantidade por caixa: 2. RM (min): 0.15uA. RM (máx.): 50uA. RoHS: sim. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatura: +150°C. Tempo de reação: 4ns, 6ns. Tensão de condução (tensão limite): 1.25V. Tensão direta Vf (min): 0.715V. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão limite: 1V. Tensão reversa máxima: 70V, 85V. Tipo de diodo: diodo de comutação. Tipo de semicondutor: diodo. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:01