BAV99, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 500A, 0.12A, 0.215A, SOT-23 ( TO236 ), 70V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Corrente direta (AV): 215mA. IFSM: 500A. Corrente Média Retificada por Diodo: 0.12A. Corrente direta [A]: 0.215A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 70V. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 30nA..50uA. Corrente de fuga reversa: 30nA / 25V. Corrente de pulso máx.: 2A. Diodo Trr (mín.): 6us. Dirigindo corrente: 0.3A. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Estrutura semicondutora: 2 diodos conectados em série. Família de componentes: diodo duplo de pequeno sinal, Montagem em superfície (SMD). Informação: -. Ism [A]: 2A. Marcação na caixa: A7w. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: diodo duplo de silício. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Potência: 350mW. Propriedades do semicondutor: comutação super rápida. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--t=1.0us 2A, t=1.0ms 1A. Série: BAV. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tempo de reação: 4ns. Tempo de recuperação reversa (máx.): 4ns. Tensão de condução (tensão limite): 1.25V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 85V. Tensão direta (máx.): <1.0V / 0.05A. Tensão direta Vf (min): 750mV. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão reversa máxima: 85V. Tipo de diodo: diodo de comutação. Tipo de montagem: SMD. Tipo de semicondutor: diodo. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Produto original do fabricante: Nexperia. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:15