BAV70, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 215mA, 0.215A, 450mA, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Corrente direta (AV): 215mA. Corrente direta [A]: 0.215A. IFSM: 450mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Cj: 1.5pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 150nA..50uA. Corrente de pulso máx.: 2A. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Estrutura dielétrica: cátodo comum. Família de componentes: diodo duplo de pequeno sinal, Montagem em superfície (SMD). Função: Velocidade de comutação rápida. Ism [A]: 1A. Marcação na caixa: A4W. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD A4p_A4t_A4w. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Potência: 350mW. Propriedades do semicondutor: comutação super rápida. Quantidade por caixa: 2. RM (min): 30nA. RM (máx.): 100uA. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--4A t=1us, 1A t=1ms. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tempo de reação: 4ns, 6ns. Tensão de condução (tensão limite): 1.25V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 70V. Tensão direta Vf (min): 715mV. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Tensão limite: 1V. Tensão reversa máxima: 100V, 70V. Tipo de diodo: diodo de comutação. Tipo de semicondutor: diodo. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:15