BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Corrente direta [A]: 0.16A. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Cj: 2pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5nA...80nA. Data de produção: 2014/49. Diodo Trr (mín.): 0.6us. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Família de componentes: diodo duplo de pequeno sinal, Montagem em superfície (SMD). Função: diodo duplo de baixo vazamento. Ism [A]: 2A. Marcação na caixa: JYs. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 2. RM (min): 5nA. RM (máx.): 80nA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 85V. Tensão direta Vf (min): 0.9V. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 3us. [V]: 1V @ 10mA. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:15