BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

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BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Carcaça (padrão JEDEC): -. Corrente direta (AV): 200mA. Corrente direta [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 2uA. Diodo Trr (mín.): 5 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-cátodo comum (ponto médio). Família de componentes: diodo Schottky duplo, montagem SMD. Função: Diodo Schottky duplo. Ism [A]: 0.6A. Marcação na caixa: L44 ou V4. Material semicondutor: Sb. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 2. RM (máx.): 2uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Tensão direta Vf (min): 240mV. Tensão limite Vf (máx.): 800mV. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:18

Documentação técnica (PDF)
BAT54S-215
32 parâmetros
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Corrente direta (AV)
200mA
Corrente direta [A]
0.2A
IFSM
600mA
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
30 v
Cj
10pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de fuga no fechamento Ir [A]
2uA
Diodo Trr (mín.)
5 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-cátodo comum (ponto médio)
Família de componentes
diodo Schottky duplo, montagem SMD
Função
Diodo Schottky duplo
Ism [A]
0.6A
Marcação na caixa
L44 ou V4
Material semicondutor
Sb
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Quantidade por caixa
2
RM (máx.)
2uA
RoHS
sim
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Temperatura máxima
+150°C.
Temperatura operacional
-65...+150°C
Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]
30 v
Tensão direta Vf (min)
240mV
Tensão limite Vf (máx.)
800mV
Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]
5 ns
[V]
0.4V @ 10mA
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors
Quantidade mínima
10