BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.37€
5-49
0.27€
50-99
0.23€
100+
0.21€
Quantidade em estoque: 861

BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V. Corrente direta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 1.5us. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Diodo de baixo vazamento. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: baixa corrente reversa. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Temperatura: +175°C. Tensão direta Vf (min): 0.78V. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Unidade de condicionamento: 5000. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:01

Documentação técnica (PDF)
BAS45A
22 parâmetros
Corrente direta (AV)
250mA
IFSM
1A
Carcaça
DO-34 ( SOD68 )
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-34 ( 3.4x1.6mm )
VRRM
125V
Cj
4pF
Condicionamento
rolo
Diodo Trr (mín.)
1.5us
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Função
Diodo de baixo vazamento
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Nota
baixa corrente reversa
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS
Temperatura
+175°C
Tensão direta Vf (min)
0.78V
Tensão limite Vf (máx.)
1V
Unidade de condicionamento
5000
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors