BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V

Quantidade
Preço unitário
10-49
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50-99
0.0344€
100-499
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Mín.: 10

BAS21, 200mA, 625mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 250V. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Função: Diodo de comutação de alta tensão. Marcação na caixa: JS. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD JS. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 0.1uA. RM (máx.): 100uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão limite Vf (máx.): 1.25V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:01

Documentação técnica (PDF)
BAS21
24 parâmetros
Corrente direta (AV)
200mA
IFSM
625mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
250V
Cj
5pF
Diodo Trr (mín.)
50 ns
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Função
Diodo de comutação de alta tensão
Marcação na caixa
JS
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD JS
Número de terminais
3
Quantidade por caixa
1
RM (min)
0.1uA
RM (máx.)
100uA
RoHS
sim
Spec info
IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão direta Vf (min)
1V
Tensão limite Vf (máx.)
1.25V
Produto original do fabricante
Nxp Semiconductors
Quantidade mínima
10