6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V

6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.42€
5-24
0.36€
25-49
0.31€
50-99
0.27€
100+
0.21€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 159

6A100G-R0G, 6A, 250A, R-6, R-6 ( 9.1x7.2mm ), 1000V. Corrente direta (AV): 6A. IFSM: 250A. Carcaça: R-6. Habitação (conforme ficha técnica): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Diodo Trr (mín.): 2500 ns. Equivalentes: 6A100G-R0G. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Marcação na caixa: 6A10. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 10uA. RM (máx.): 100uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1V. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Produto original do fabricante: Yangzhou Yangjie Electronic. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 22:01

Documentação técnica (PDF)
6A100G-R0G
22 parâmetros
Corrente direta (AV)
6A
IFSM
250A
Carcaça
R-6
Habitação (conforme ficha técnica)
R-6 ( 9.1x7.2mm )
VRRM
1000V
Cj
60pF
Diodo Trr (mín.)
2500 ns
Equivalentes
6A100G-R0G
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Marcação na caixa
6A10
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RM (min)
10uA
RM (máx.)
100uA
RoHS
sim
Spec info
IFSM--250Ap (t=8.3ms)
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão direta Vf (min)
1V
Tensão limite Vf (máx.)
1V
Produto original do fabricante
Yangzhou Yangjie Electronic

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