30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6mm), 100V

30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6mm), 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.43€
5-49
0.37€
50-99
0.32€
100-199
0.28€
200+
0.22€
Quantidade em estoque: 3490

30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8,1x6,2x2,6mm), 100V. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Carcaça: DO-214. Habitação (conforme ficha técnica): SMC (8,1x6,2x2,6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Marcação na caixa: 3J. Material semicondutor: Sb. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 0.5mA. RM (máx.): 5mA. RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão direta Vf (min): 0.62V. Tensão limite Vf (máx.): 0,96 V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:18

Documentação técnica (PDF)
30BQ100
19 parâmetros
Corrente direta (AV)
3A
IFSM
800A (tp=5us), 70A (tp=10ms)
Carcaça
DO-214
Habitação (conforme ficha técnica)
SMC (8,1x6,2x2,6mm)
VRRM
100V
Cj
115pF
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Marcação na caixa
3J
Material semicondutor
Sb
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RM (min)
0.5mA
RM (máx.)
5mA
RoHS
sim
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão direta Vf (min)
0.62V
Tensão limite Vf (máx.)
0,96 V
Produto original do fabricante
Vishay