1N5402, DO-27, 200V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Carcaça: DO-27. Carcaça (padrão JEDEC): -. VRRM: 200V. Corrente direta (AV): 3A. Corrente Média Retificada por Diodo: 3A. IFSM: 200A. Corrente direta [A]: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Cj: 40pF. Condicionamento: Ammo Pack. Configuração de diodo: independente. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 10uA. Corrente de fuga reversa: <5uA / 200V. Corrente de pulso máx.: 200A. Diodo Trr (mín.): 5us. Dirigindo corrente: 3A. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Estrutura semicondutora: diodo. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Informação: -. Ism [A]: 200A. MSL: -. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: GI. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RM (min): 5uA. RM (máx.): 500uA. RoHS: sim. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Série: 1N54. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tempo de recuperação reversa (máx.): 1500ns. Tensão de condução (tensão limite): 1.1V. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Tensão direta (máx.): <1.2V / 3A. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão limite: 1.2V, 1.1V. Tensão reversa máxima: 200V. Tipo de diodo: diodo retificador. Tipo de montagem: THT. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: -. [V]: 1.2V @ 3A. Produto original do fabricante: Dc Components Co. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 14:24