Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1N5402

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1N5402. Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 200V. RoHS: sim. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. Nota: GI. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Produto original do fabricante Diotec. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 06:25.

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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. RoHS: sim. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 110A. Tensão direta Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1.3 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): silício. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V
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RoHS: sim. Família de componentes: Diodo retificador padrão. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DO-201. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Corrente direta [A]: 3A. Ism [A]: 110A. Tensão direta Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 1.3 kV. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 5uA. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): silício. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V
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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. RoHS: sim. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V
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Corrente direta (AV): 3A. IFSM: 200A. Carcaça: DO-27. Habitação (conforme ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 5us. Material semicondutor: silício. Nota: distância central 15mm. RM (máx.): 500uA. RM (min): 5uA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Tensão direta Vf (min): 1.1V
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