1N5346B, DO-201, 5W, DO-201, 9.1V, 9.1V, 5W

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1N5346B, DO-201, 5W, DO-201, 9.1V, 9.1V, 5W. Carcaça: DO-201. Carcaça (padrão JEDEC): -. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201. Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.: 9.1V. Tensão Zener: 9.1V. Dissipação máxima Ptot [W]: 5W. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]: 7.5uA @ 6.9V. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Família de componentes: Diodo Zener, potência 5W (75°C), 5%, série 1N53. Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 150mA. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tolerância: 5%. VRRM: 9.1V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 08:27

Documentação técnica (PDF)
1N5346B
21 parâmetros
Carcaça
DO-201
Pd (dissipação de energia, máx.)
5W
Habitação (conforme ficha técnica)
DO-201
Tensão de ruptura Zener Uz [V], nom.
9.1V
Tensão Zener
9.1V
Dissipação máxima Ptot [W]
5W
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Ur [V]
7.5uA @ 6.9V
Estrutura dielétrica
Ânodo-Cátodo
Família de componentes
Diodo Zener, potência 5W (75°C), 5%, série 1N53
Impedância Zener Zzt[Ohm] @ Iz[A]
2 Ohms @ 150mA
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
Número de terminais
2
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tolerância
5%
VRRM
9.1V
Produto original do fabricante
Diodes Inc.