1N4448, DO-35 ( SOD27 ), 0.15A, 0.45A, 0.3A, DO-35, 100V. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Corrente direta (AV): 0.15A. Carcaça (padrão JEDEC): -. IFSM: 0.45A. Corrente direta [A]: 0.3A. Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de fuga no fechamento Ir [A]: 25nA..5uA. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Família de componentes: Diodo de silício de pequeno sinal. Ism [A]: 2A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RM (min): 25nA. RM (máx.): 5uA. RoHS: sim. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão de fechamento (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Velocidade de comutação (tempo de regeneração) tr [seg.]: 4 ns. [V]: 0.7V @ 5mA. Produto original do fabricante: Taiwan Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 14/12/2025, 01:04