Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

ST02D-82

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ST02D-82. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 1.7A. Tensão de ruptura: 82V. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-201. Habitação (conforme ficha técnica): DO-201 ( 5x4mm ). Tolerância: 5%. Temperatura operacional: -40...+150°C. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 2. Spec info: 200W (t=1ms). Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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1-5KE82A

1-5KE82A

Ubr [V] @ Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] ...
1-5KE82A
Ubr [V] @ Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. IFSM: 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5 kW. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. VRRM: 82V
1-5KE82A
Ubr [V] @ Ibr [A]: 82V @ 1mA. Ubr [V] @ Ibr [A]: 86.1V @ 1mA. Corrente de fuga no fechamento Ir [A] @ Uz [V]: 5uA @ 70.1V. Dissipação máxima (pulso) Pp [W] @ t[mseg.]: 1500W @ 1ms. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -50°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Estrutura dielétrica: unidirecional . Material semicondutor: silício. IFSM: 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5 kW. Temperatura operacional: -50...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 5V. Tensão direta Vf (min): 3.5V. VRRM: 82V
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