SI4435DDY-T1-GE3
Quantidade
Preço unitário
5-9
1.17€
10-49
1.13€
50-199
1.01€
200-999
0.93€
1000+
0.85€
| Quantidade em estoque: 191 |
SI4435DDY-T1-GE3. Características: -. Carcaça: SO8. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 11.4A. Informação: -. MSL: -. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Polaridade: MOSFET P. Série: TrenchFET. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de montagem: SMD. Vdss (dreno para tensão da fonte): -30V. Produto original do fabricante: Vishay Siliconix. Quantidade mínima: 5. Quantidade em estoque atualizada em 15/02/2026, 12:28
SI4435DDY-T1-GE3
10 parâmetros
Carcaça
SO8
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
11.4A
Pd (dissipação de energia, máx.)
5W
Polaridade
MOSFET P
Série
TrenchFET
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de montagem
SMD
Vdss (dreno para tensão da fonte)
-30V
Produto original do fabricante
Vishay Siliconix
Quantidade mínima
5