SI2333CDS-T1-E3
Quantidade
Preço unitário
5-9
0.98€
10-49
0.87€
50-199
0.79€
200-2999
0.74€
3000+
0.57€
| Quantidade em estoque: 2925 |
SI2333CDS-T1-E3. Características: -. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 7.1A. Informação: -. MSL: -. Polaridade: MOSFET P. Série: TrenchFET. Tensão porta/fonte Vgs max: ±8V. Tipo de montagem: Montagem em superfície. Vdss (dreno para tensão da fonte): 12V. Produto original do fabricante: Vishay Siliconix. Quantidade mínima: 5. Quantidade em estoque atualizada em 15/02/2026, 12:28
SI2333CDS-T1-E3
8 parâmetros
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
7.1A
Polaridade
MOSFET P
Série
TrenchFET
Tensão porta/fonte Vgs max
±8V
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Vdss (dreno para tensão da fonte)
12V
Produto original do fabricante
Vishay Siliconix
Quantidade mínima
5