QSE113

QSE113

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QSE113. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 8us. Carcaça (padrão JEDEC): -. Comprimento de onda dominante [nm]: 880nm. Comprimento externo [mm]: 5.08mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5mA. Diâmetro externo [mm]: -. Espessura externa [mm]: 2.54mm. Família de componentes: fototransistor. Largura externa [mm]: 4.44mm. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±25°. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Temperatura máxima: +100°C.. Tempo de ativação tr [µseg.]: 8us. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 20:50

Documentação técnica (PDF)
QSE113
15 parâmetros
Atraso de desligamento tf [μseg.]
8us
Comprimento de onda dominante [nm]
880nm
Comprimento externo [mm]
5.08mm
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A], máx.
1.5mA
Espessura externa [mm]
2.54mm
Família de componentes
fototransistor
Largura externa [mm]
4.44mm
Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]
±25°
Número de terminais
2
RoHS
sim
Temperatura máxima
+100°C.
Tempo de ativação tr [µseg.]
8us
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
30 v
Produto original do fabricante
Onsemi (fairchild)