MC33172DR2G

MC33172DR2G

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5-24
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MC33172DR2G. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: DIP. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Consumo atual [mA]: 0.44mA. Família de componentes: Amplificador operacional. Função: Amplificador operacional. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Largura de banda [MHz]: 1.8 MHz. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de circuitos: 2. Número de terminais: 8:1. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Taxa de variação [V/us]: 2.1V/us. Temperatura máxima: +85°C. Temperatura operacional: -40...+85°C. Tipo de circuitos: amplificador operacional duplo, para uso geral. [V]: -. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:23

Documentação técnica (PDF)
MC33172DR2G
17 parâmetros
Carcaça
DIP
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Consumo atual [mA]
0.44mA
Família de componentes
Amplificador operacional
Função
Amplificador operacional
Habitação (conforme ficha técnica)
DIP-8
Largura de banda [MHz]
1.8 MHz
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de circuitos
2
Número de terminais
8:1
Número de terminais
8:1
RoHS
sim
Taxa de variação [V/us]
2.1V/us
Temperatura máxima
+85°C
Temperatura operacional
-40...+85°C
Tipo de circuitos
amplificador operacional duplo, para uso geral
Produto original do fabricante
ON Semiconductor