GBI10J, 10A, 600V. Corrente direta (AV): 10A. VRRM: 600V. Carcaça: SIP / SIL. Equivalentes: KBJ10J. Estrutura dielétrica: Ponte de diodos. Habitação (conforme ficha técnica): 30x20x3.6mm. IFSM: 160A. Marcação na caixa: +~~-. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. Quantidade por caixa: 4. RM (máx.): 5uA. RoHS: sim. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão direta Vf (min): 1.1V. Tensão limite Vf (máx.): 1.1V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 17:59