BPW17N. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 5us. Carcaça (padrão JEDEC): -. Carcaça: 1.8mm (T-3/4). Comprimento de onda (dominante): 825nm. Comprimento de onda dominante [nm]: 825nm. Comprimento de onda: 780nm. Comprimento externo [mm]: 3.3mm. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente contínua máxima: 100mA. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. Corrente do coletor: 50mA. Custo): 8pF. Diâmetro externo [mm]: 1.8mm. Diâmetro/dimensões: 1.8mm. Diâmetro: 1.8mm. Espessura externa [mm]: 3.4mm. Família de componentes: fototransistor. Função: Foto Transistor. Id(im): 100mA. Largura externa [mm]: 2.4mm. Meio ângulo de detecção δ 1/2 [°]: ±12°. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: t(on) 4.8us, t(off) 5.0us. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Temperatura máxima: +100°C.. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tempo de ativação tr [µseg.]: 4.8us. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 32V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. Tipo de transistor: NPN. VECO: 5V. ângulo de detecção: 12.5°. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 00:30