TLP185-GB-SE-T. CTR: 100...400 %. Carcaça: SO. Corrente do coletor: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1A. Diodo SE: 50mA. Função: GaAs Ired e Foto-Transistor. Habitação (conforme ficha técnica): 11-4M1S. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: P185GB. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Saída: saída de transistor. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Tensão limite do diodo: 1.25V. Tf (tipo): 9us. Tr: 5us. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:50