TCET1100G

TCET1100G

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.51€
5-49
0.43€
50-99
0.38€
100-199
0.33€
200+
0.27€
Quantidade em estoque: 156

TCET1100G. CTR: 50...600 %. Carcaça: DIP. Corrente do coletor: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-4. Ic(pulso): 100mA. Irrm atual: 60mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Passo: 10.16mm. Saída: saída de transistor. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Tensão limite do diodo: 1.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.3V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:50

Documentação técnica (PDF)
TCET1100G
18 parâmetros
CTR
50...600 %
Carcaça
DIP
Corrente do coletor
50mA
Diodo FI Courant (pico)
1.5A
Habitação (conforme ficha técnica)
DIP-4
Ic(pulso)
100mA
Irrm atual
60mA
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
4
Passo
10.16mm
Saída
saída de transistor
Temperatura operacional
-40...+100°C
Tensão do coletor/emissor Vceo
70V
Tensão limite do diodo
1.25V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
0.3V
VECO
7V
Vrms
5000V
Produto original do fabricante
Vishay