MOCD207M
Quantidade
Preço unitário
1-4
1.38€
5-24
1.16€
25-49
1.00€
50-99
0.91€
100+
0.78€
| Quantidade em estoque: 54 |
MOCD207M. CTR: 100...200 %. Carcaça: SMD. Corrente do coletor: 150mA. Diodo FI Courant (pico): 1 A (PW=100us, 120pps). Diodo SE: 60mA. Função: Saída fototransistor, canal duplo. Habitação (conforme ficha técnica): DIP SMD-8. Marcação na caixa: D207. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Potência do diodo: 90mW. RoHS: sim. Saída: saída de transistor. Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão limite do diodo: 1.05V. Tf (tipo): 4.7us. Tr: 3.2us. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:33
MOCD207M
23 parâmetros
CTR
100...200 %
Carcaça
SMD
Corrente do coletor
150mA
Diodo FI Courant (pico)
1 A (PW=100us, 120pps)
Diodo SE
60mA
Função
Saída fototransistor, canal duplo
Habitação (conforme ficha técnica)
DIP SMD-8
Marcação na caixa
D207
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
Pd (dissipação de energia, máx.)
150mW
Potência do diodo
90mW
RoHS
sim
Saída
saída de transistor
Temperatura operacional
-40...+100°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tensão do coletor/emissor Vceo
100V
Tensão limite do diodo
1.05V
Tf (tipo)
4.7us
Tr
3.2us
VECO
7V
VRRM
3750V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor