IL207AT

IL207AT. CTR: 100...200 %. Diodo SE: 60mA. Potência do diodo: 90mW. Tensão limite do diodo: 1.3V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 3us. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Vebo: 7V. VECO: 7V. VRRM: 4000V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 18:25.