IL207AT

IL207AT

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.51€
5-24
0.45€
25-49
0.41€
50-99
0.39€
100+
0.35€
Quantidade em estoque: 78

IL207AT. CTR: 100...200 %. Carcaça: SO. Corrente do coletor: 50mA. Diodo SE: 60mA. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Ic(pulso): 100mA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Potência do diodo: 90mW. RoHS: sim. Saída: saída de transistor com base. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 70V. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tf (tipo): 3us. VECO: 7V. VRRM: 4000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 24/11/2025, 10:27

Documentação técnica (PDF)
IL207AT
23 parâmetros
CTR
100...200 %
Carcaça
SO
Corrente do coletor
50mA
Diodo SE
60mA
Função
Saída fototransistor, com conexão de base
Habitação (conforme ficha técnica)
SO-8
Ic(pulso)
100mA
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
Pd (dissipação de energia, máx.)
150mW
Potência do diodo
90mW
RoHS
sim
Saída
saída de transistor com base
Temperatura operacional
-55...+100°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.4V
Tensão do coletor/emissor Vceo
70V
Tensão limite do diodo
1.3V
Tf (tipo)
3us
VECO
7V
VRRM
4000V
Vcbo
70V
Vebo
7V
Produto original do fabricante
Vishay