6N136-F. CTR: 19...24 %. Carcaça: DIP. Corrente do coletor: 8mA. Diodo FI Courant (pico): 50mA. Diodo SE: 25mA. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Ic(pulso): 16mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. Potência do diodo: 45mW. RoHS: sim. Saída: saída de transistor. Spec info: High speed, 1MBit/s. Taxa de transmissão: 1 MBit/s. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão limite do diodo: 1.45V. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Produto original do fabricante: Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 00:30