Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

6N136-F

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6N136-F. Taxa de transmissão: 1 MBit/s. CTR: 19...24 %. Diodo SE: 25mA. Diodo FI Courant (pico): 50mA. Potência do diodo: 45mW. Tensão limite do diodo: 1.45V. Corrente do coletor: 8mA. Ic(pulso): 16mA. Saída: saída de transistor . Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.1W. RoHS: sim. Spec info: High speed, 1MBit/s. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Temperatura operacional: -55...+100°C. VCC: 15V. VRRM: 2500V. Produto original do fabricante Toshiba. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 03:25.

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