Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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4N35M. CTR: 40...100 %. Diodo SE: 100mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.18V. Saída: saída de transistor com base. Passo: 7.62mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Passo: 7.56mm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 2us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Tr: 2us. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. VECO: 10V. VRRM: 5300V. Número de terminais: 6. Quantidade em estoque atualizada em 19/04/2025, 20:25.

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CTR: 100 %. Diodo SE: 60mA. Tensão limite do diodo: 1.2V. Corrente do coletor: 100mA. Saída: saída de transistor com base. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. VRRM: 5300V. Corrente de entrada nominal (mA): 10mA. Tempo de ativação tr [µseg.]: 10us. Atraso de desligamento tf [μseg.]: 10us. Número de terminais: 6. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +100°C
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