4N33M

4N33M. CTR: 500 %. Diodo SE: 80mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 150mW. Tensão limite do diodo: 1.2V. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Ganho mínimo de hFE: 5000. Corrente do coletor: 50mA. Saída: saída de transistor darlington. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Spec info: ton 5us, toff 100us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -55...+100°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 03:25.