4N33M. CTR: 500 %. Carcaça: DIP. Corrente do coletor: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Diodo SE: 80mA. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Ganho mínimo de hFE: 5000. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Potência do diodo: 150mW. RoHS: sim. Saída: saída de transistor darlington. Spec info: ton 5us, toff 100us. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Tensão limite do diodo: 1.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Vcbo: 100V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 00:30