Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.46€ | 0.57€ |
10 - 24 | 0.44€ | 0.54€ |
25 - 49 | 0.42€ | 0.52€ |
50 - 99 | 0.39€ | 0.48€ |
100 - 139 | 0.39€ | 0.48€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 9 | 0.46€ | 0.57€ |
10 - 24 | 0.44€ | 0.54€ |
25 - 49 | 0.42€ | 0.52€ |
50 - 99 | 0.39€ | 0.48€ |
100 - 139 | 0.39€ | 0.48€ |
4N28. CTR: 10...30 %. Diodo SE: 60mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Potência do diodo: 0.1W. Tensão limite do diodo: 1.3V. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Saída: saída de transistor com base. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 2us. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Temperatura operacional: -55...+100°C. Vcbo: 70V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 7V. VECO: 7V. Vrms: 5000V. Número de terminais: 6. Nota: Iceo 10nA. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.
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