4N28. CTR: 10...30 %. Carcaça: DIP. Corrente do coletor: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Diodo SE: 60mA. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Ic(pulso): 100mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: Iceo 10nA. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Potência do diodo: 0.1W. RoHS: sim. Saída: saída de transistor com base. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Tensão limite do diodo: 1.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tf (tipo): 2us. VECO: 7V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. Vrms: 5000V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 00:30