4N25-LIT. CTR: 20...50 %. Carcaça: DIP. Corrente do coletor: 50mA. Diodo FI Courant (pico): 3A. Diodo SE: 60mA. Equivalentes: LTV-4N25. Função: Saída fototransistor, com conexão de base. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-6. Ic(pulso): 100mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 150mW. Potência do diodo: 0.1W. RoHS: sim. Saída: saída de transistor com base. Temperatura operacional: -55...+100°C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Tensão limite do diodo: 1.2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tf (tipo): 3us. VRRM: 5000V. Vcbo: 80V. Vebo: 7V. Produto original do fabricante: Lite-on. Quantidade em estoque atualizada em 14/11/2025, 00:30