2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V

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2N6075BG, 4A, TO-126, 600V, 600V. Corrente contínua máxima: 4A. Carcaça: TO-126. VDRM: 600V. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão de pico (repetitiva) Urrm [V]: 600V. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de disparo do portão Igt: 3mA. Corrente de pico (não repetitivo) IP [A]: 30A. Corrente efetiva (periódica) Iav [A], máx.: 4A. Família de componentes: Triacs padrão. Igm1 [A]: 15mA. Igm2 [A]: -15mA. Igm3 [A]: -15mA. Igm4 [A]: 20mA. Marcação do fabricante: 2N6075BG. Número de terminais: 3. Propriedades do semicondutor: Porta sensível. RoHS: sim. Temperatura máxima: +110°C.. Tipo: TRIAC. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:05

Documentação técnica (PDF)
2N6075BG
20 parâmetros
Corrente contínua máxima
4A
Carcaça
TO-126
VDRM
600V
Tensão de pico (repetitiva) Urrm [V]
600V
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de disparo do portão Igt
3mA
Corrente de pico (não repetitivo) IP [A]
30A
Corrente efetiva (periódica) Iav [A], máx.
4A
Família de componentes
Triacs padrão
Igm1 [A]
15mA
Igm2 [A]
-15mA
Igm3 [A]
-15mA
Igm4 [A]
20mA
Marcação do fabricante
2N6075BG
Número de terminais
3
Propriedades do semicondutor
Porta sensível
RoHS
sim
Temperatura máxima
+110°C.
Tipo
TRIAC
Produto original do fabricante
Onsemi